Composant électronique IS61WV1288EEBLL-10BLI 48 TFBGA Mémoire d'origine
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
128Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:En vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,4 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Mbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 secondes
Tension D'alimentation
2,4 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
En vrac
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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>= 3 480 pièce
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IS61WV1288EEBL 10BLI
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