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Composant électronique IXFQ60N60X Transistors TO-3P BOM IC En stock

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100-3 099 pièce
2,88 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

IXFQ60N60X

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-3P

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
TO-3P
Description
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Référence fabricant
IXFQ60N60X
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HiPerFET, Ultra X
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
60A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
55 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 8 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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