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Electronics Component In Stock MT41K512M8V00HWC1-N001 Memory Die

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Code de date de fabrication

NEW

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT41K512M8V00HWC1-N001

Type de montage

-

Taille de La mémoire

4Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 4GBIT PARALLEL

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT41K512M8V00HWC1-N001
Type de montage
-
Taille de La mémoire
4Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 4GBIT PARALLEL
Type de conditionnement
Bulk
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C (TC)
Package/Boîte
Die
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - DDR3L
Tension D'alimentation
1.283V ~ 1.45V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Memory Interface
Parallel
Memory Format
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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