Composant électronique MB85RS2MTPH-G-JNE1 8 DIP Mémoire d'origine
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
256Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:25 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
25 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MB85RS2MTPHG JNE1
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