Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
