Composant électronique MT46V64M8FN-75:D 60 TFBGA Mémoire Distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:64Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
64Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4724 €
>= 3 100 pièce
0,2362 €
Options
SélectionnerSpécification
MT46V64M8FN75:D
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