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Composant électronique Mémoire 165 TBGA IDT71P72804S250BQG Original Service complet

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Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

IDT71P72804S250BQG

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

18Mbit

Point d'origine

China

Description

CI SRAM 18Mbit parallèle 165 CABGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
IDT71P72804S250BQG
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
18Mbit
Point d'origine
China
Description
CI SRAM 18Mbit parallèle 165 CABGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
165-TBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, QDR II
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Organisation de la mémoire
1M x 18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
SRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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