Composant électronique Mémoire 200 TFBGA MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR Original Service complet
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Attributs
SDRAM - LPDDR4X mobileTechnologie
volatileType de mémoire
1Gx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1Gx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 1 999 pièce
14,47 €
>= 2 000 pièce
9,90 €
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MT53E1G32D2FW 046 informatique : TR
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