Composant électronique Mémoire 200 WFBGA MT62F512M32D2DS-031 AAT:B BOM IC En stock
Note de la boutique :4.5
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Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Boîte
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:3,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Boîte
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
3,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 050 - 4 049 pièce
7,01 €
>= 4 050 pièce
3,51 €
Options
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MT62F512M32D2DS 031 AAAT :B
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