Composant électronique Mémoire Module DIP 28 DS1230Y-100+ Original
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
256 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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16,83 €
>= 3001 pièce
8,42 €
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