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Composant électronique Mémoire 48 DIP 7134SA45CB En stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
32 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:4Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
32 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Double port, asynchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
4Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3099 pièce
0,5148 €
>= 3100 pièce
0,2574 €

Expédition

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