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Composant électronique Mémoire 48 TFBGA FM21LD16-60-BG Original Service à guichet unique

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:110 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
110 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3099 pièce
0,5577 €
>= 3100 pièce
0,2789 €

Expédition

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