Composant électronique Mémoire 54 TSOP NDS66PT5-20ET Original Service complet
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Attributs
mémoire SDRAMTechnologie
volatileType de mémoire
4M16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:VTTL
Caractéristiques du produit
Technologie
mémoire SDRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
4M16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
VTTL
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
0,9323 €
≥ 3 001 pièce
0,4683 €
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NDS66PT520ET
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