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Composant électronique Mémoire 63 BGA TH58NYG2S3HBAI4 Original

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3,88 €
1-3 000 pièce
1,94 €
≥3 001 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

TH58NYG2S3HBAI4

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

4Gbit

Point d'origine

China

Description

Mémoire flash IC 4Gbit parallèle 63BGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
TH58NYG2S3HBAI4
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
4Gbit
Point d'origine
China
Description
Mémoire flash IC 4Gbit parallèle 63BGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
63-BGA
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
25ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
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