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Composant électronique Mémoire 8 DIP 23LCV1024-E/P Canal Fabricant

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0,9134 €
180-3 179 pièce
0,4611 €
≥3 180 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

23LCV1024-E/P

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Taille de La mémoire

1Mbit

Point d'origine

China

Description

CI SRAM 1Mbit SPI/DUAL 8-DIP

Expédition

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Caractéristiques du produit

Technologie
SRAM - Synchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128K x 8
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Référence fabricant
23LCV1024-E/P
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
1Mbit
Point d'origine
China
Description
CI SRAM 1Mbit SPI/DUAL 8-DIP
Type de conditionnement
Tube
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TA)
Package/Boîte
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Série
-
Tension D'alimentation
2,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
20 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Double E/S
Format de mémoire
SRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs