Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:3 MHz
Organisation de la mémoire:512 x 8, 256 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2 mètres
Interface mémoire:Microfil
