Composant électronique Mémoire 8 TSSOP BR24G16FVT-3GE2 Original Service à guichet unique
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
2K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:1,6 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:400 kilohertz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2K par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
1,6 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
400 kilohertz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
5 mètres
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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BR24G16FVT3GE2
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