





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:54 MHz
Organisation de la mémoire:2Mx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI













