Composant électronique Mémoire 8 WDFN Pad exposé MX35LF2GE4AD-Z4I BOM IC En stock
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Attributs
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composant électronique Bom ServiceCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:800 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
800 micros
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
1,58 €
>= 3 001 pièce
0,7908 €
Options
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MX35LF2GE4ADZ4I
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