Composant électronique Mémoire 8 XDFN Pad exposé GD25WQ128EQEGR Original Service complet
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Attributs
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:84 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:240 µs, 8 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
84 MHz
Organisation de la mémoire
16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
240 µs, 8 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
3 000 - 5 999 pièce
0,7908 €
>= 6 000 pièce
0,3954 €
Options
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GD25WQ128EQEG
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