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Marchés principaux: Suède, Slovaquie, Thaïlande, États-Unis d'Amérique, Israël

Composant électronique Mémoire MT29E6T08ETHBBM5-3:B Original

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0,444 €
100-3 099 pièce
0,222 €
≥3 100 pièce
Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Type de montage

-

Taille de La mémoire

6 Tbit

Point d'origine

China

Description

Mémoire flash IC 6 Tbit parallèle 333 MHz

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Type de montage
-
Taille de La mémoire
6 Tbit
Point d'origine
China
Description
Mémoire flash IC 6 Tbit parallèle 333 MHz
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
-
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,5 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Organisation de la mémoire
768G x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs