Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:10 MHz
Organisation de la mémoire:256 par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:PI
