





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:52 MHz
Organisation de la mémoire:4M16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:65 secondes
Interface mémoire:Parallèle













