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Composants électroniques PG-TO263-7-3 IPB180P04P403ATMA2 Transistors en stock

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Référence fabricant

IPB180P04P403ATMA2

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-7-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPB180P04P403ATMA2
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-7-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS P2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
180A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,8 mOhms à 100 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
17640 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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