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Composants électroniques Transistors PQFN IRFH8334TR2PBF en stock

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100-3 099 pièce
0,408 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

IRFH8334TR2PBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

PQFN (5x6)

Température de fonctionnement

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFH8334TR2PBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
PQFN (5x6)
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
14A (Ta), 44A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,35 V à 25 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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