Composant électronique S3A2004V0M-AI1AT 8 SOlC Mémoire Fabricant Canal
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Attributs
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
512Kx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
2,88 €
>= 3 001 pièce
1,44 €
Options
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S3A2004V0M AI1AT
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