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Composant électronique TO-263AA IXTA08N100D2 Transistors BOM IC En stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

IXTA08N100D2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263AA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXTA08N100D2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263AA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
Dépauvrisement
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
800mA (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
21 ohms à 400 mA, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14,6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs