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Composant électronique TPH5R60APL,L1Q 8-SOP Transistors avancés en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

TPH5R60APL,L1Q

Marque nom

Original

Description

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE PB-F N-C

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOP Avancé (5x5)

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TPH5R60APL,L1Q
Marque nom
Original
Description
TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE PB-F N-C
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOP Avancé (5x5)
Température de fonctionnement
175°C
Série
U-MOSIX-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
60A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,6 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 500 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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