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Composants électroniques Transistors 6-UDFN à pad exposé NTLUD3A50PZTAG Canal Fabricant

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0,8647 €
100-3 099 pièce
0,4414 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

NTLUD3A50PZTAG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-UDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTLUD3A50PZTAG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-UDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
500mW
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2,8 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
50 mOhms à 4 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10,4 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
920pF à 15V
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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