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Composants électroniques Transistors 6-WDFN à pad exposé NVLJD4007NZTBG – Service complet original

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Caractéristiques

Référence fabricant

NVLJD4007NZTBG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-WDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVLJD4007NZTBG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-WDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
755mW
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
245mA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7 ohms à 125 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,5 V à 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0,75 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
20pF à 5V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs