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Composants électroniques Transistors 8-DSOP Advance TPW4R008NH,L1Q BOM IC En stock

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Référence fabricant

TPW4R008NH,L1Q

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-DSOP Avancé

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TPW4R008NH,L1Q
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-DSOP Avancé
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
U-MOSVIII-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
116A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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vente Unités
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1X1X1 cm
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