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Composants électroniques Transistors 8-HWSON RJK03M5DNS-00 # J5 BOM IC en stock

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100-3 099 pièce
0,558 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

RJK03M5DNS-00#J5

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-HWSON (3.3x3.3)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJK03M5DNS-00#J5
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-HWSON (3.3x3.3)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
25A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,3 mOhms à 12,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10,4 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1890 pF à 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs