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Composants électroniques Transistors Die EPC2021ENGR En stock

Name: Composants électroniques Transistors Die EPC2021ENGR En stock
Brand: UNITE CHANCE CO., LIMITED
SKU: 1601819325705
Price: 1.94 USD
Availability: InStock

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3,41 €

100-3 099 pièce

1,71 €

≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

EPC2021ENGR

Marque nom

Original

Description

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Point d'origine

China

Package/Boîte

Matrice

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage

Norme

FET Caractéristique

Package/Boîte

Matrice

Description

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Référence fabricant

EPC2021ENGR

Marque nom

Original

Point d'origine

China

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Série

eGaN

Code date de fabrication

NEUF

FET Type

N-Channel

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

80 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

60A (Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

2,5 mOhms à 29 A, 5 V

Vgs (th) (Max) @ Id

2,5 V à 14 mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1700 pF @ 40 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

+6V, -4V

Type de montage

Montage en Surface

Emballage

Ruban coupé (CT)

Type de FET

Canal N

Technologie

GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

1X1X1 cm

unique poids brut

0.100 kg

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Quantité (pièce)	1 - 100 000	> 100 000
Durée estimée (jours)	31	À négocier