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Composant électronique, module de transistors 1011GN-2200VP, BOM IC en stock

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1011GN-2200VP

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MOSFET RF HEMT 50V

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
1011GN-2200VP
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF HEMT 50V
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Série
VP
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
1,03 GHz ~ 1,09 GHz
Courant nominal (ampères)
-
Alimentation-Sortie
2200W
Tension Nominale
150 V
Configuration
-
Type de montage
Standard
Emballage
En vrac
Technologie
HEMT
Configuration
-
Fréquence
1,03 GHz ~ 1,09 GHz
Gain
19,4 dB

Emballage et livraison

vente Unités
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seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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