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Composants électroniques Transistors PG-HSOG-8-1 IAUS240N08S5N019ATMA1 BOM IC En stock

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Référence fabricant

IAUS240N08S5N019ATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOG-8-1

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IAUS240N08S5N019ATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOG-8-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
240A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,9 mOhms à 100 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,8 V à 160 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9264 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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