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Composants électroniques Transistors TO-92-3 STQ2HNK60ZR-AP Original

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0,216 €
100-3 099 pièce
0,108 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

STQ2HNK60ZR-AP

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-92-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STQ2HNK60ZR-AP
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-92-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
SuperMESH
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
500mA (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,8 ohms à 1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 50 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Ruban coupé (CT), Ruban et boîte (TB)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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