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Composants électroniques Transistors WSMini6-F1-B MTM761100LBF En stock

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Référence fabricant

MTM761100LBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

Point d'origine

China

Package/Boîte

WSMini6-F1-B

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MTM761100LBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Point d'origine
China
Package/Boîte
WSMini6-F1-B
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
42 mOhms à 1 A, 4 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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