Composant électronique W66AP6NBQAFJ 200 TFBGA Mémoire BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL11
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Gbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
LVSTL11
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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W66AP6NBAFJ
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