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Composant électronique X1-DFN1006-3 DMN21D2UFB-7 Transistors d'origine

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Caractéristiques

Référence fabricant

DMN21D2UFB-7

Marque nom

Original

Description

MOSFET BVDSS : 8V~24V X1-DFN1006-

Point d'origine

China

Package/Boîte

X1-DFN1006-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN21D2UFB-7
Marque nom
Original
Description
MOSFET BVDSS : 8V~24V X1-DFN1006-
Point d'origine
China
Package/Boîte
X1-DFN1006-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
760mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
990 mOhms à 100 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0,93 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
27,6 pF à 16 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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