Electronics Components Online Original SICFET N-CH 650V 100A HIP247 SCTW100N65G2AG Transistors HiP247
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Attributs
SCTW100N65G2AGNuméro de Type
À travers le trouType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
HiP247Package / Case
Description:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
SCTW100N65G2AG
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
HiP247
Description
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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100 - 3 099 pièce
10,49 €
>= 3 100 pièce
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SCTW100N65G2AG
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