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Module de transistors F411MR12W2M1B76BOMA1, composant électronique, distributeur agréé

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189,59 €
100-3 099 pièce
94,80 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

F411MR12W2M1B76BOMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY1B

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
F411MR12W2M1B76BOMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY1B
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
EasyPACK CoolSiC
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
100A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11,3 mOhms à 100 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,55 V à 40 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
248nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7360pF à 800V
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac, Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

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