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IRF630NPBF MOSFET à canal N TO-220 200V 9.3A 82W 300mOhm/10V -55 ℃ ~ + 175 ℃ transistor de puissance IRF630N trou traversant

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Spécification

IRF630NPBF
Personnalisation
Emballage personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF630NPBF

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal N 200 V 9,3 A

Point d'origine

Other

Package/Boîte

TO-220

En Un Coup d'Œil

  • MOSFET canal N: Ce MOSFET canal N est conçu pour commuter des courants à haute fréquence avec une résistance en état d'ouverture ultra-faible, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie.

  • Boîtier TO-220: Le boîtier TO-220 offre une option de montage par trous traversants, assurant des connexions fiables et robustes dans divers circuits électroniques.

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF630NPBF
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal N 200 V 9,3 A
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-220
Température de fonctionnement
-55℃~+175℃
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
9.3A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
300 mOhms à 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
575pF
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type d'emballage
Traversant (Through Hole)
Type de montage
Traversant (Through Hole)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
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