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FAM65CR51DZ1 12-SSIP Transistors à plaquettes exposées, à fils formés, composants électroniques, Distributeur agréé

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15,95 €
100-3 099 pièce
7,99 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

FAM65CR51DZ1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 650V 33A APMCD-B16

Point d'origine

China

Package/Boîte

12-SSIP, pastille exposée, broches formées

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FAM65CR51DZ1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 650V 33A APMCD-B16
Point d'origine
China
Package/Boîte
12-SSIP, pastille exposée, broches formées
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
160W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
33A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
51 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V à 3,3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
123nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4864pF à 400V
Configuration
2 N-Channel
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

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