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Transistor à jonction superconductrice à faible charge de gate FDL100N50F MOSFET canal N 500V 100A TO-264 pour onduleur SMPS

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FDL100N50F

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Plaquette de silicium

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Caractéristiques du produit

Point d'origine
Taiwan
Marque nom
FDL
Numéro de Type
FDL100N50F
Type
Plaquette de silicium
Type de montage
Traversant (Through Hole)

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