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Transistor de puissance FDS2672 200V 3.9A N MOSFET SOIC-8

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0,2985 €
Quantité minimale : 10 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

FDS2672

Type

MOSFET, MOSFET de puissance N, MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

MOSFET haute tension, Transistor

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FDS2672
Type
MOSFET, MOSFET de puissance N, MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface
Description
MOSFET haute tension, Transistor
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
SOIC-8
Température de fonctionnement
-55℃~+175℃@(Tj)
Série
standard
Application
Interrupteur d'alimentation Circuits
Type de Fournisseur
Fabricant original
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
120A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600V
FET Caractéristique
Fiche de données de référence
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Fiche de données de référence
Vgs (th) (Max) @ Id
Fiche de données de référence
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC
Fréquence
Fiche de données de référence
Alimentation-Sortie
Fiche de données de référence
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Fiche de données de référence
Vgs (Max)
Fiche de données de référence
Entrée
Fiche de données de référence
Thermistance NTC
Fiche de données de référence
Vidange de courant (Id)-Max
Fiche de données de référence
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Fiche de données de référence
Résistance-RDS (On)
Fiche de données de référence
Tension-Sortie
Fiche de données de référence
Transistor Type
Fiche de données de référence
Type de montage
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Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Emballage
Emballages d'origine
État
100% d'origine
Service
Service BOM tout-en-un
Qualité
100 % d'origine, 100 % de marque
DÉLAI DE LIVRAISON
1-3 jours ouvrables

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.0 kg

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