4.8/5(7)
Note de la boutique
≤2h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
11%
Taux de réachat

Marchés principaux: Inde, Canada, États-Unis d'Amérique, Bahreïn, Suède

Transistor à effet de champ FKV550N TO-220F

Aucun avis pour l'instant
0,6389 €
10-99 pièce
0,63 €
≥100 pièce

Quantité

Personnalisation
Logo personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)
Emballage personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)
Personnalisation graphique (Quantité min. : 10 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

FKV550N

Type

MOSFET

Marque nom

JMY

Type de paquet

Traversants

Description

20 W

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Retour facile

Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Finance Service

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FKV550N
Type
MOSFET
Marque nom
JMY
Type de paquet
Traversants
Description
20 W
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
À-220F
Température de fonctionnement
STANDARD
Série
Norme
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
Applications de commutation et d'amplification
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée
Référence croisée standard
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Courant de coupure standard du collecteur
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Puissance Max
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme R1
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme R2
FET Type
FET standard
FET Caractéristique
FET standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Configuration
Vérifier la fiche technique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Transistor Type
Transistor standard
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poste
Modes de paiement
TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ Séquestre
Type de montage
Montage en surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X5X3 cm
unique poids brut
0.05 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Logo personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Personnalisation graphique(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Afficher les détails

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs