FMV19N60E Paquet de TO-3P de transistor MOSFET de puissance à canal N unique 19N60E
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Attributs
MOSFETType
But généralApplication
TraversantsType de paquet
À travers le trouType de Support
Diode Schottky (isolée)FET Caractéristique
SIMPLEConfiguration
Numéro de Type:19N60E
Marque nom:FUJ
Description:Transistors FMV19N60E à canal N MOSFET de puissance
Point d'origine:TAIWAN
Package/Boîte:TO3P
Température de fonctionnement:-55-150C
Série:TRANSISTORS
d/c:Norme
Type de Fournisseur:Fabricant original
Référence croisée:Transistor
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Collecteur de courant (Ic) (Max):8 A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):-30 V + 30 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:STANDARD
Courant-coupure de collecteur (Max):8A
Puissance Max:225 W
Fréquence-Transition:Amélioration
Résistance-socle (R1):Amélioration
Résistance-socle émetteur (R2):1,45 Ohms
FET Type:N-Canal
Vidange à la tension de la Source (Vdss):3V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:8A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:70 nC
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:225W
Tension Nominale:3V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Mosfet
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Mosfet
Type de montage:Pcb
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
But général
Type de paquet
Traversants
Type de Support
À travers le trou
FET Caractéristique
Diode Schottky (isolée)
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
225 W
Package/Boîte
TO3P
Description
Transistors FMV19N60E à canal N MOSFET de puissance
Numéro de Type
19N60E
Marque nom
FUJ
Point d'origine
TAIWAN
Température de fonctionnement
-55-150C
Série
TRANSISTORS
d/c
Norme
Référence croisée
Transistor
Collecteur de courant (Ic) (Max)
8 A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-30 V + 30 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
STANDARD
Courant-coupure de collecteur (Max)
8A
Fréquence-Transition
Amélioration
Résistance-socle (R1)
Amélioration
Résistance-socle émetteur (R2)
1,45 Ohms
FET Type
N-Canal
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
3V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
70 nC
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
225W
Tension Nominale
3V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Mosfet
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Transistor Type
Mosfet
Type de montage
Pcb
Emballage et livraison
vente Unités
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19X10X5 cm
unique poids brut
0.100 kg
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