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Module de transistors FP50R06W2E3B11BOMA1, composants électroniques, puces, en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

FP50R06W2E3B11BOMA1

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 600V 65A 175W

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FP50R06W2E3B11BOMA1
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 600V 65A 175W
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C
Série
EasyPIM 2B
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
65 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
1 mA
Puissance Max
175 W
Type IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Inverseur Triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
3,1 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac, Plateau
Type d'IGBT
Arrêt de tranchée
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
65 A
Puissance - Max
175 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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