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Composant électronique FS13MR12W2M1HPB11BPSA1, circuit intégré (CI) en stock, transistors

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Configuration
-
Type de montage
Standard
Emballage
Plateau
Technologie
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Configuration
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