Bogo Semiconductor CO., Limited

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Composants électroniques : MOSFET N-Channel SI4178DY-T1-GE3 (N-CH 30V 12A) avec support BOM complet, 8-SOIC

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0,5572 €

1-2 499 pièce

0,1169 €

≥2 500 pièce

Quantité

Caractéristiques

Numéro de Type

SI4178DY-T1-GE3

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

Canal N

Emballage

8-SOIC, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

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Caractéristiques du produit

Numéro de Type

SI4178DY-T1-GE3

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

Canal N

Emballage

8-SOIC, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

type4

FETs simples, MOSFETs

Description

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Série

TrenchFET

Type de FET

Canal N

Technologie

MOSFET (oxyde métallique)

Tension drain-source (Vdss)

30 V

Courant - Drain continu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Tension de commande (Rds On max, Rds On min)

4,5 V, 10 V

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

1X1X1 cm

unique poids brut

0.1 kg

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